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春石斛蘭栽培管理技術

石斛蘭栽培管理技術
一、石斛蘭屬概介：
石斛蘭屬名Dendrobium係由瑞典植物學家Olaf Swartz於1799所命名，

取自希臘文dendro（tree）樹及bios（life）生活。

此屬內含有1,100已命名之種，使石斛屬成為蘭科內僅次於豆蘭屬之第二大蘭屬植物。

石斛蘭及其近緣種之原生分佈頗廣，

西起印度、斯里蘭卡，東至大溪地，北由日本、韓國，南到紐西蘭南島下之史都華島，

於臺灣亦有12個原種，但於非洲及美洲則無石斛蘭原種之蹤跡。
石斛屬內所含原種數目極多，

於植株型態、花型、花色、香味等各有差異，

又其原生地分布廣泛，由海岸、河岸邊到高原雨林或高山下雪處均可見，

故其生育特性差異極大。

春石斛(Nobile-type Dendrobium)
為石斛蘭屬石斛蘭節(Dendrobium section
Dendrobium)內之原種群，以金釵石斛
(Den.nobile)為基本種所雜交選育出之品種
群的總稱。主要用於盆花生產，其色彩瑰麗
繽紛，為高貴的贈禮及答謝用盆花。
二、春石斛之生育特性：
春石斛之生長發育模式為每年由前假球莖基部發育新芽。

假球莖於夏季至秋天成熟之春石斛品種，

在新莖各節內有腋芽發育，

不久，

於假球莖基部3~4節呈球狀肥大部份，

下部開始2~4節位之芽則特別發達，

於一般栽培情況下，

其第2及第3節位之腋芽，
於10月至2月可萌芽，

成為下一代之新莖。
新莖則依品種不同而漸次展葉生長至假球莖長30~80公分。

大部份情形為自秋至冬季萌芽之新莖，

於翌年夏至秋時即停心而停止新葉開展而形成所謂的止葉，

此時假球莖快速肥大、充實。

此生育過程於高溫下則急速進行，

於低溫下則進行較緩。
於肥大後假球莖進入完熟，

隨後須有涼溫使上部節位開始進行花芽分化。

假球莖於肥大期時，

上部的腋芽可分化多至5~6片之鱗片葉而呈休眠狀態。

此些腋芽遭遇14℃以下之低溫，

大多可恢復活性而形成花序，

亦即腋芽分化3~4片苞葉後，

於苞葉之各腋部分化小花原基。
分化完成之小花原基間，

花序先端之1~2個很快即停止發育，

只有基部之1~2個小花，

於30~40天內陸續分化發育萼片、花瓣、雌蕊、柱頭、花藥等。

小花原基分化後之花芽形成及發育，高溫可促進。

因此，小花原基分化後至開花，

於夜溫20℃約需40天，

夜溫10℃約100天。
花芽形成與假球莖之成熟度有關，

到遭遇低溫時，新假球莖必須成熟，

否則其腋芽無法達到花芽分化，

亦即假球莖未完全成熟的話，著花節率會較低。

但是，腋芽形成後
約於二年間容易對低溫反應，於此期間假球莖成熟即可花芽分化。

溫度控制為春石斛花芽分化之重要關鍵，

於臺灣因秋季之低溫不足.

故須利用上山栽培來控制春石斛之花期，

通常須於夏季末期將植株移至高海拔，

提供14℃以下之涼溫，來促進花芽提早形成。
三、一般栽培管理：
(一) 種苗來源：
1. 實生播種苗：實生苗生育較不一致，開花較零散，著花亦較不全，需對其交配親本進行較充分之遺傳認識研究。
2. 組培苗：目前大多未採行，為未來量產之方向，但須解決變異問題。
3. 莖插苗：現大多以此方式進行種苗大量生產，其生產方式為取充分成熟之前芽，

於花芽分化前，單節分切，再扦插於20℃以上之插床。
4. 高芽苗：取高芽之生育可較扦插苗較早較快，但數量較少且會有苗大小參差不齊或根傷之情形。
(二) 定植上盆：
介質可以蛇木屑、樹皮、椰殼碎片、水草等不易於短期間崩解者為佳，

亦可使用3份珍珠石：1份蛭石：1份泥炭土作為介質，以微酸性為佳。

定植上盆方式依各人栽培方法及不同品種而有差異，

但常見之栽培方式為於11月左右扦插，

翌春，芽及根伸出後，再每株定植於5公分之塑膠盆，介質為水苔，於苗期充分供應肥料，

至9月換至7.5公分盆，於11月進溫室內加溫栽培，當年內可伸出新芽。

至春天依新莖之大小，約2~4株組於一盆，則株高較整齊，較具商品價值，
肥料則於6月前分二次置放，並適時施用液肥，

至8月上旬左右停心，止葉產生，於夏季使假球莖充實。
(三) 水分管理：
澆水與溫度、光照情況有直接關係，當春季溫度開始上昇，漸漸開始澆水，

於夏季溫高且光照強，需維持相對濕度於50-80%，須每天澆水以避免植株乾燥，

自9月下旬起，當溫度開始下降，漸漸減少澆水量，

當夜溫降至10℃以下，只於避免假球莖萎縮的情況下適量供水，一星期一次即已足夠，

當夜溫降至5℃以下，則保持植株乾燥，重要的是，上午之澆水量，須於傍晚時介質可乾。
冬季：假球莖發育完全，新芽尚未生長時期，幾乎不需要澆水，

約7~10天於晴天之中午前澆水一次，澆水量須少，使於傍晚前可乾燥，

於溫度10℃以下，如盆內介質過濕易導致傷根。
 

春季：白天氣溫稍漸上昇，但氣溫如仍於10℃以下則控制澆水，

3月夜溫開始上昇時澆水量可漸增，新芽開始旺盛生長時須充分澆水。
 

夏季：於高溫期為生育旺盛期，須充分供水，此時根系亦充分伸長.

有時上午澆水至下午即完全乾燥，則生育會遲鈍而影響假球莖之充實，

亦會因高溫障礙或產生葉燒。

高溫時水分不足植株會引起脫水而衰弱，故須充分補充水分，

於氣溫30℃，有些地方則近40℃高溫，

此時植株係靠蒸散作用來調節溫度，使不致於產生高溫障礙，

而於中午高溫時如水滴留於新芽或葉片上，

即使短期間高溫亦會燒傷新芽及葉片，

隨後發生病害，於此期間澆水須於清晨或傍晚時進行。
 

秋季：於9月下旬起澆水可漸減，清晨及傍晚溫度漸低時漸漸降低澆水次數，

至11月，為防止假球莖充實受影響.以最低量澆水，

於生育後期之澆水管理為重要的栽培
管理要點，

澆水控制不良可能導致傷根而栽培失敗，

於介質乾燥時約3~5日一次以最低水量於晴天中午前澆水，
如夜溫於10℃以下則7~10天一次極少量澆水。
開花期：花
芽較大時，澆水量可稍增，

基本上澆水仍以傍晚可乾燥之程度，

開花係依假球莖本身所貯存之養分，

澆水量多並不會使開花更佳，

於此期間，澆水量過多可能導致傷根。
(四) 肥培管理：
開花株須使用低氮肥肥料，欲開花良好，

須於8月上旬即停止施肥，

對未加溫栽培之幼株，

及冬季夜溫降至8℃以下之處，則於夜溫升至10℃以上時，

施用高氮比例之肥料，大約應於3~4月間，

如冬季夜溫高於10℃之地區則自1月即可開始施肥。

對開花株勿施用長效性肥料，因可能導致肥料過多。

如施肥過多，

可於9月前以第一磷酸鉀(KH2PO4)1,500倍施用1~2次。
(五) 光照：
一般而言春石斛於營養生長期所需光照量為15,000-20,000lux，

至生育後期將轉入生殖生長期需較高光照量，約為30,000-40,000lux，

故對幼苗，冬季無須遮陰，但於春末開始須遮光30~40％，

可使假球莖及葉片生長較佳，

對中型植株或開花株，只要葉片不會有日燒情形，

則可不必遮光，植株可生長較佳，開花較多。

於夏季較無風地區，則須遮光30~40％，

於開花季溫室內通風不足，則花芽會受損，

開花不良，因此自花芽出現到開花結束之間須有30~40％遮光，

但如溫度低且日照較弱時則無須遮光。
(六) 移植換盆：
分株及換盆須於夜溫13℃以上方可進行，

最佳之定植及換盆之時機為新芽長至10~15公分長時，則新芽之根可順利伸入介質中。

於植株已停止生長，或新芽尚未生長出時，切勿移植。

換盆時，除腐敗之根剪除外，所有根系儘量保留，

較長之根系則於上盆時，可以螺旋狀盤延於盆內緣，

定植時須注意莖基不可埋入介質內，必須露出於介質表面。

於換盆後，植株須維持二星期於相對較乾之情況下，

每3~4天澆水一次，澆水量只要使介質表面濕潤即可，

當新根開始產生時，則須充分大量供水，

於移植三個星期內應遮光40％栽培。
(七) 高芽：
自春季至夏天，如新芽受損或氮肥過量，會於假球莖之頂端長出高芽，

於春季產生之高芽，

夏季可長成粗壯並成熟之假球莖，

當其根系達7~10公分長，可將之取下，再定植於7.5公分盆。

如假球莖基部 主要新芽與上部高芽同時產生，

則去除高芽，使主芽生育健壯。

臺中區農業專訊